三星电子已为其位于美国得克萨斯州泰勒市的半导体工厂部分区域取得临时占用许可证(TCO),市政官员证实,三星1号晶圆厂约8.8万平方英尺的区域已获临时批准,其余区域预计将陆续获批。[1][2]
泰勒工厂占地约485万平方米(1200英亩/486公顷),是三星在美国的首座晶圆制造厂,目前建设已接近尾声,预计将在2026年底前完成600万平方英尺的建筑面积建设,2028年前还将新增100万平方英尺。[1][3]
三星计划于今年3月启动极紫外(EUV)光刻设备的试运行,这是生产先进2纳米半导体的关键环节,将为下半年大规模生产特斯拉AI5芯片奠定基础。[1][3] 该工厂规划从4纳米制程转向月产5万片2纳米晶圆,标志着三星在先进制程领域的重大布局。[4]