韩国存储巨头SK海力士将于2026年1月初向英伟达交付12层HBM4内存的最终样品，这标志着AI芯片关键内存组件开发进入最后阶段，预计2-3月将开始全面量产，产能提升将在第二季度启动。
SK海力士采用改进型电路的HBM4晶圆将于本月底完成制造，随后于2026年1月初向英伟达交付下一代12层HBM4内存的最终样品。[1]
HBM4在技术上实现重大突破：I/O端口数量从HBM3E的1,024个倍增至2,048个，数据传输通道近乎翻番；同时，用于控制HBM的逻辑芯粒将首次放弃传统DRAM制程，转而采用台积电的先进晶圆代工工艺，以提升信号完整性与能效比。[2]
今年9月，SK海力士已向英伟达提供了首批HBM4客户样品，为满足英伟达紧迫的开发进度，公司甚至跳过了内部预发布评审（PRA），直接交付了样品。[1] 作为英伟达关键供应商，SK海力士此次交付的HBM4将可能被用于英伟达下一代AI旗舰芯片"Rubin"，该芯片预计于2026年接棒当前Blackwell架构。[2]
由于早期跳过内部评审流程，HBM4在后续认证过程中暴露出一些问题。在系统级封装（SiP）测试中，暴露了速度和可靠性问题，具体而言，为提升速度而减少结构限制导致电路线路设计需要修改。[1]
SK海力士通过与英伟达、台积电建立"三方合作"机制，包括共享缺陷数据，已查明导致缺陷的具体机制。报道称，该缺陷对工艺良率没有造成重大影响，SK海力士将按原计划推进HBM4的大规模量产。[1]
目前，SK海力士已为配合英伟达需求，试产约2万至3万颗HBM4样品供质量验证，这些样品已进入最后的质量认证阶段。[2] 业内预计，HBM4的产量和价格将在2026年第一季度最终确定，这将是量产前的最后一个障碍。[3]
如果SK海力士明年1月初能够提交更多优化后的样品，且质量测试能够迅速完成，预计将于2-3月开始全面量产，产能提升在第二季度将得以启动。[1][2]
HBM4的性能提升显著：带宽是上一代的两倍，能效提升超40%。SK海力士预计HBM4将使AI服务性能提升69%，并有效降低数据中心电力成本，这对于日益增长的AI计算需求至关重要。[3]
在市场竞争方面，SK海力士计划今年下半年完成12层HBM4量产准备，而三星计划2025年第四季度开始HBM4初期生产，美光的HBM4样品也已进入客户验证阶段。[3] Meritz Security预测，SK海力士HBM市场份额到2026年将保持在60%左右，巩固其在高端HBM市场的领导地位。[3]
值得注意的是，英伟达近期大幅上调HBM3E采购量，暗示其Rubin芯片可能面临延期，这可能导致SK海力士调整策略，将2026年上半年的生产重心仍放在HBM3E上，确保Blackwell GPU的稳定供应。[4]